ルネサス「世界最速/高集積」の画像処理用SRAM 2ポートSRAMセルの回路図と特長(表中、右端)。左2つはともに、デュアルポートSRAMセルで、左から2番目は2015年にルネサスが開発したFinFETに最適化した左右対称型のデュアルポートSRAMセル (クリックで拡大) 出典:ルネサス エレクトロニクス 記事に戻る 竹本達哉,EE Times Japan