外部磁界による書き込みの限界 磁気メモリ(MRAM)のセルアレイ構造。ワード線とビット線の交差点に磁気トンネル接合(MTJ)素子を配置する、クロスポイント構造を採る (クリックで拡大) 出典:CNRS 記事に戻る 福田昭,EE Times Japan