インフィニオン初のSiC MOSFETを披露、量産は2017年 左=耐圧1200VのSiC MOSFETは6インチウエハーで量産される/中央=3端子または4端子TO247パッケージのSiC MOSFETと、モジュール「Easy1B」(白い筺体)/右=1200VのSiC MOSFETを用いた昇降圧DC-DCコンバーターのデモボード(クリックで拡大) 記事に戻る 村尾麻悠子,EE Times Japan