産総研、TMR素子の記憶安定性を約2倍に向上

左がイリジウム薄膜と極薄コバルト薄膜を積層して形成した素子の断面像。右は今回開発した垂直磁化TMR素子の断面構造の模式図 （クリックで拡大） 出典：産総研