メモリの薄化限界は4μm！ 2μm台で劣化を確認

左＝Si厚さ5μm台まで薄化したDRAMの歩留まり比較。（a）は、Cu強制汚染なし、（b）は、Cu強制汚染あり。Cu強制汚染ありなし関係なく、歩留まりや特性の変化は見られない / 右＝Si残し厚さに対するDRAMのデータ保持時間依存性。4μm厚さまで薄くしても劣化は見られない （クリックで拡大） 出典：東京工業大学