Intelの10nmチップ、鍵はIII-V族半導体と量子井戸構造か

2009年の「IEDM」でIntelが発表した、InGaAsを用いた量子井戸構造の電界効果トランジスタ(クリックで拡大)

2009年の「IEDM」でIntelが発表した、InGaAsを用いた量子井戸構造の電界効果トランジスタ(クリックで拡大)