トレンチ構造を用いたSiC-MOSFETを製品化――ロームが6月量産 トレンチ構造Si-MOSFETと従来パワートランジスタとの比較。左がオン抵抗、右がスイッチング損失の比較 (クリックで拡大) 出典:ローム 記事に戻る 竹本達哉,EE Times Japan