カーボンナノチューブを使った「NRAM」の基本動作を実証

印加パルスの電圧波形と動作電流。左が低抵抗化時、右が高抵抗化時。20ナノ秒の書き換えパルスにより、20μA以下の低電流動作が行えるという （クリックで拡大） 出典：中央大学