SiCデバイス価格、2016年度にSi比1.5〜2倍に――ローム、6インチウエハー/トレンチ構造導入で 2014年春量産のSiC-MOSFETに適用するトレンチゲート構造と従来のプレーナ型ゲートの比較 (クリックで拡大) 出典:ローム 記事に戻る 竹本達哉,EE Times Japan