SiC-MOSFETの課題克服へ、新材料を用いたゲート絶縁膜で信頼性を向上

酸化アルミニウムへの窒素添加による電気的欠陥の低減効果（クリックで拡大） 出典：大阪大学、京都大学、ローム、東京エレクトロン