SiC-MOSFETの課題克服へ、新材料を用いたゲート絶縁膜で信頼性を向上

CVD法でトレンチ構造の凹凸パターンに成膜したAlONの膜厚（クリックで拡大） 出典：大阪大学、京都大学、ローム、東京エレクトロン