SiC-MOSFETの課題克服へ、新材料を用いたゲート絶縁膜で信頼性を向上

共同研究チームの体制。今回の研究成果は、2010年から取り組んできた「超低損失SiCトランジスタ開発」によるものだ。（クリックで拡大） 出典：大阪大学、京都大学、ローム、東京エレクトロン