SiC-MOSFETの課題克服へ、新材料を用いたゲート絶縁膜で信頼性を向上

AlONを用いたゲート絶縁膜の特性。酸化シリコンと比べて、ゲート絶縁膜に掛かる電界を半分に緩和できる。（クリックで拡大） 出典：大阪大学、京都大学、ローム、東京エレクトロン