SiC-MOSFETの課題克服へ、新材料を用いたゲート絶縁膜で信頼性を向上 SiC-MOSFETのゲート絶縁膜として用いている酸化シリコンの課題(クリックで拡大) 出典:大阪大学、京都大学、ローム、東京エレクトロン 記事に戻る 朴尚洙,MONOist