GaNデバイスのバリエーション広がる、高周波スイッチICが登場

図2　GaNスイッチICの展示パネル　3つのグラフはいずれも50W品の特性で、パワーハンドリング（電力飽和特性）、挿入損失、絶縁特性を示している。（クリックで拡大）