「20nmプロセスはダブルパターニングがコスト増要因に」、TSMCのCTOが明かす 左図内のグラフは、20nmプロセスと28nmプロセスの性能を比較したもの。右の図は、TSMCが各プロセスで採用している露光技術である。20nmプロセスはタブルパターニングを採用した。EUVやMEBDWといった次世代露光技術は14nmプロセスで利用すべく開発が進んでいる。 記事に戻る 朴尚洙,EE Times Japan