強誘電体SRAMやスピンMOS FETが開発、新材料や新機構で微細化限界打ち破る（前編）

図左（図5）は、従来のSRAMとの違い。図中の上図左側が従来のSRAMの静的雑音余裕（SNM）、右側が強誘電体SRAMのSNMの様子である。SNMが広がるように、しきい値電圧が変化する。図右（図6）は、強誘電体SRAMの効果。SRAMを安定に動作させつつ、電源電圧を0.11V引き下げられる。これによって、動作時消費電力を32％削減可能だとする。