強誘電体SRAMやスピンMOS FETが開発、新材料や新機構で微細化限界打ち破る（前編）

図左（図3）は強誘電体SRAMの構造。Si基板にHfAlO膜とSrBi2Ta2O9膜を積層した。強誘電体材料は、産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門フロンティアデバイスグループが開発したもの。図右（図4）は、しきい値電圧Vthが変わる仕組み。上部は、しきい値が高くなる場合における、強誘電体膜の分極の様子。下部は、しきい値が低くなる場合における強誘電体膜の分極の様子である。ゲート電圧に応じて分極の方向が変わることで、チャネルの電子数が変わり、しきい値電圧Vthが変化する。