強誘電体SRAMやスピンMOS FETが開発、新材料や新機構で微細化限界打ち破る（前編）

図2　強誘電体NAND型フラッシュ・メモリーとの違い　上図が強誘電体を使ったNAND型フラッシュ・メモリーの構造で、下図右が強誘電体SRAMの回路図である。回路構成そのものは、従来のSRAMと何ら変わらない。東京大学の竹内氏の研究グループでは、強誘電体NAND型フラッシュ・メモリーの開発を手掛けていたが、新たにSRAMにも展開した。強誘電体SRAMでは、NAND型フラッシュ・メモリーとは異なり、強誘電体膜を薄くすることで、分極方向を変化させやすくする。