GaN（窒化ガリウム）

左上図は、出力電荷量（Qoss）とオン抵抗（Ron）の積を比較したグラフ。積が小さい方が電力損失を抑えられる。GaNパワー・デバイスは、スーパー・ジャンクション型SiパワーMOSFETの1/5程度である。右上図は、逆回復電荷の比較である。これが大きいと電力損失が増える。GaNパワー・デバイスはほぼゼロである。下図は、ハード・スイッチングにおける電流波形と電圧波形である。この重複部分でスイッチング損失の大きさが決まる。GaNパワー・デバイスは電圧波形の遷移時間が短いため、重複部分を小さくできる。そのためスイッチング損失を低減できる