半導体の温故知新(6)――MOSトランジスタの次はTFET?

図2 従来のMOSFETからFinFET、あるいはFD-SOI技術のFETに選択肢が広がり、やがてFD-SOIのFinFET、さらにはゲートで周囲を囲むゲート・オール・アラウンド構造などの道がある。TFETへの道もある (クリックで拡大) 出典:服部毅著「6-2 半導体微細化・大口径化とプロセス技術」、『メガトレンド半導体2014-2023』、日経BP発行

図2 従来のMOSFETからFinFET、あるいはFD-SOI技術のFETに選択肢が広がり、やがてFD-SOIのFinFET、さらにはゲートで周囲を囲むゲート・オール・アラウンド構造などの道がある。TFETへの道もある (クリックで拡大) 出典:服部毅著「6-2 半導体微細化・大口径化とプロセス技術」、『メガトレンド半導体2014-2023』、日経BP発行