SiCダイオードを採用した高速スイッチング特性重視型パワー半導体モジュール

SiCダイオードを用いたハイブリッドパワー半導体モジュール。左が100A/150A品、中央が200A/300A品、右が400A/600A品の外観 （クリックで拡大）