IBISモデル

図1 IBISモデルの基本構成IBISモデルが開発された当初の基本構成である。5つの要素から構成されている。1つはハイ(高)レベルのドライバの電圧・電流特性、2つ目はロー(低)レベルのドライバの電圧・電流特性、3つ目はそれらの立ち上がり/立ち下がり特性、4つ目は、電源あるいはグラウンドとの間のダイオード、5つ目はパッケージの抵抗(R)、インダクタンス(L)、静電容量(C)である。

図1 IBISモデルの基本構成IBISモデルが開発された当初の基本構成である。5つの要素から構成されている。1つはハイ(高)レベルのドライバの電圧・電流特性、2つ目はロー(低)レベルのドライバの電圧・電流特性、3つ目はそれらの立ち上がり/立ち下がり特性、4つ目は、電源あるいはグラウンドとの間のダイオード、5つ目はパッケージの抵抗(R)、インダクタンス(L)、静電容量(C)である。