1200V耐圧のSiCバイポーラトランジスタ、オン抵抗は17mΩ

SiCのBJT/JFET/MOSFETにおける損失の比較太陽光発電システムでの用途を想定した、出力が5kWの昇圧回路（入力電圧300V、出力電圧400V）において、SiC BJT、SiC JFET、SiC MOSFETの損失を、異なる温度/スイッチング周波数の下で比較した。グラフの緑色はドライバ損失、紫色はターンオフ損失、赤色がターンオン損失、青色は導通損失である。このグラフから、BJTはスイッチング損失（ターンオフおよびターンオン損失）が特に低いことが分かる。スイッチング損失の差は、スイッチング周波数が高くなると大きくなる（上段の2つのグラフは20kHz、下段のグラフは60kHz）。　出典：フェアチャイルドセミコンダクタージャパン