SiGe:C BiCMOSプロセスを採用した低雑音アンプ用HBT、雑音指数は0.75dBに向上 SiGe:C BiCMOSプロセスを採用した低雑音アンプ用HBT、雑音指数は0.75dBに向上 記事に戻る EDN Japan