ICEMOSがMEMS技術を用いた高耐圧SJ-MOSFETを開発、オムロンの野洲事業所に生産委託

図2　SJ-MOSFETの構造（提供：ICEMOS TECHNOLOGY）　右側が多段エピタキシャル成長方式を用いた場合の構造で、左側がICEMOS MEMS MOSFETの構造である。上側にある構造図において、水色の部分がn層、赤色の部分がp層となっている。ICEMOS MEMS MOSFETの白い部分は、MEMS技術を用いて形成したトレンチである。