フローティングゲートをアナログ領域で生かす

図1　フローティングゲートメモリーの仕組み　フローティングゲートメモリーのセルをプログラミングするには、同ゲートの上部にある金属被覆に12Vの電圧を印加する（a）。その結果、トンネル効果により、電子が酸化絶縁膜を通過し、フローティングゲートに電荷が充填されて値が保持される。セルの値を消去するには、印加する電圧を変更し、フローティングゲートの電荷を放出させる（b）。