シリコン半導体ラインで製造可能なSiC-SBD、新日本無線が開発 図1 SiC-SBDのデバイス構造(提供:新日本無線) 新日本無線のデバイスは、高抵抗のガードリング層を特徴とする。 記事に戻る EDN