微細化に堪え得るオンチップSRAM 図8 プロセス変動に対するワード線電位制御の効果 等高線は、セルの不良率を対数で表した上で正規化したものである。 記事に戻る 平林 修( 東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター),EDN