SiGeが切り開く半導体の未来

図3　SiGeプロセスにおける絶縁層分離　SiGeプロセスでは、デバイス間のトレンチ分離に加え、最下層の酸化膜を用いて完全な絶縁層分離を実現することができる（提供：TexasInstruments社）。