SiGeが切り開く半導体の未来

写真1　SiGeトランジスタの顕微鏡写真　絶縁膜エッチング後のSiGeトランジスタ。実際には、領域間に空気や真空部分は存在しない。E、B、Cは、それぞれエミッタ、ベース、コレクタへのコンタクトを表す（提供：IBM社SubramanianSIyer氏）。