SiGeが切り開く半導体の未来 図1 歪シリコンの構造 歪シリコンでは、チャンネル領域にゲルマニウムを注入して応力を発生させる。それによりキャリアの移動度を高めることで、高速化を図る(提供:Synopsys社)。 記事に戻る Paul Rako,EDN